E - Elektronische Componenten

Gebruikersavatar
Eebraert
Regelmatig forumgebruiker
Regelmatig forumgebruiker
Berichten: 74
Lid geworden op: 31 jan 2008, 23:04
Locatie: Dilbeek

E - Elektronische Componenten

Berichtdoor Eebraert » 13 jun 2010, 13:54

Met dank aan TWi forum:

2 vragen waarvan 1 kwalitatief en 1 kwantitatief

De vragen van een aantal mensen:

*vertrek van de ebers-moll vergelijkingen om de bipolaire transistor te beschrijven (dus voor alle gevallen voor Vcb en veb, ladingen, ...)
*MOS capaciteit: bandenschema's tekenen en V>0 en V<0 aanleggen (zeker ook phi,B en psi,S en al de rest aanduiden)
bijvraag: hoe verloopt Qs ifv Psi,s in de depletiezone

*werking van bipolaire npn adhv bandenschema's (met dopering, wat loopt naar waar, etc). Bijvraag: als we de rol van E en C omkeren (zelfde doperingen), werkt het dan nog?
*metaal-halfgeleidercontact: Schottkydiode. Rekenwerk aan thermionische emissie, dan IV-karateristiek van Schottky afleiden. Bijvraag: waarom moet die een n zijn, wat loopt er mis met p?

*Ek diagram v Si tekenen + uitleg geven. Bijvragen: zijn altijd geldig? wat als groot E veld?
*IV vgl voor kortekanaalsmosfet (uit aanvullingen dus ); transconductantie .. blablabla. Bijvragen: ook effect in lineair gebied? waarom niet/wel? wat is voordeel aan constante gm?

* vertrek van Ebers-Moll vergelijkingen om de bipolaire transistor in common emitter schakeling te beschrijven: bereken stroomversterkingscoefficient hfe/beta, hoe een inversielaag opbouwen, hoe snel gebeurt dat (grootteordes en de bijhorende mechanismen)
* MOS capaciteit: bandenschema's tekenen en V>0 en V<0 aanleggen (zeker ook phi,B en psi,S en al de rest aanduiden), wat zijn de capaciteiten (de formulekes), hoe verloopt Qs ifv psi-s voor acc, depl, inv, s. inv, waarom mag de buiging zomaar gelijk genomen worden voor Ec en EV (bandbuiging benadering) waarom mag dat (E velden klein want kleine spanningen, mag bvb niet meer als je met heel sterke laser op u si zit te schijnen)
*If you kill one man, you're a murderer
*If you kill 10, you're a mass-murderer
*If you kill 100, you're a psycho
*If you kill 1000, you're a hero
Gebruikersavatar
AdamCooman
The IRW God
The IRW God
Berichten: 2376
Lid geworden op: 28 nov 2007, 18:19
Locatie: Aalst
Contacteer:

Re: Elektronische Componenten

Berichtdoor AdamCooman » 15 jun 2010, 15:10

Werking van Diode uitleggen aan de hand van het banddiagramma
IV karakteristiek van de MOSFET berekenen en bespreken (saturatie, threshold spanning, transconductantie,...)
AdamCooman The IRW God
Als een link niet meer werkt, bezoek mijn site om het bestand te vinden
Afbeelding

Mooiste avatar: AdamCooman
Beste moderator: AdamCooman
Gebruikersavatar
Eebraert
Regelmatig forumgebruiker
Regelmatig forumgebruiker
Berichten: 74
Lid geworden op: 31 jan 2008, 23:04
Locatie: Dilbeek

Re: Elektronische Componenten

Berichtdoor Eebraert » 16 jun 2010, 10:12

*Wat gebeurt er als ge een veld aanlegt op een halfgeleider? (dus zo MOS met Vg gedefineerd tov substraat, bandbuiging, Qs in functie van Psi s, etc)
bijvragen: Welke Qs zijn dat (van de Qs Psi s grafiek)? Hoeveel van dedie zijn er bij flatbands? Hoe gaat Qs in ftie van Psi s in de verschillende gebieden?
and many more

*bereken de IV formule van een gewone diode (dus pn)
*If you kill one man, you're a murderer
*If you kill 10, you're a mass-murderer
*If you kill 100, you're a psycho
*If you kill 1000, you're a hero
Tom De Smedt
Op weg naar biggest IRW-fan!
Op weg naar biggest IRW-fan!
Berichten: 223
Lid geworden op: 28 nov 2007, 22:30
Locatie: Ternat
Contacteer:

Re: Elektronische Componenten

Berichtdoor Tom De Smedt » 16 jun 2010, 12:23

Geef bandenschema's van een n-type halfgeleider als er een elektrisch veld wordt op aangelegd?
Bijvragen: hoeveel lading is er bij vlakke banden? Wat gebeurd er met w als we in sterke inversie gaan? Kan een diode in sterke inversie gaan, waarom niet?

Geef de Ebers-Moll vergelijkingen en het bandenschema van een npn-transisitor. Link deze twee en verklaar zo de werking van een bipolaire transistor.
Bijvragen: Waarom is er saturatie/actief gedeelte?
Think Different.

Treasurer van BEST Brussels 2009 -2010
http://www.bestbrussels.be
Ghenne Tom
Regelmatig forumgebruiker
Regelmatig forumgebruiker
Berichten: 52
Lid geworden op: 16 okt 2008, 19:21

Re: E - Elektronische Componenten

Berichtdoor Ghenne Tom » 20 jun 2011, 14:22

- Bespreek aan de hand van bandenschemas de werking van de tunneldiode
- Bepaal de IV karakteristiek van een MOSFET en bespreek (transconductantie, schakeltijd,...)

De prof stelt redelijk wat bijvragen, enkele voorbeelden : Waarom kan er geen recombinatie zijn als er geen overlapping is (bij tunneldiode)? Wat is die Qd die je berekent bij MOSFET?
damien
Beginnend forumgebruiker
Beginnend forumgebruiker
Berichten: 27
Lid geworden op: 01 okt 2008, 13:54

Re: E - Elektronische Componenten

Berichtdoor damien » 20 jun 2011, 17:16

- Bereken de IV-karakteristiek van de gewone diode bij voorwaartse polarisatie. Bijvraag: wat veronderstel je in deze afleiding?
- Teken het bandenschema van de MOS-capaciteit (n-type) in de verschillende gevallen (accumulatie, vlakke banden, depletie, zwakke inversie, sterke inversie).
Lixen
Beginnend forumgebruiker
Beginnend forumgebruiker
Berichten: 29
Lid geworden op: 31 okt 2008, 17:21
Locatie: Dilbeek
Contacteer:

Re: E - Elektronische Componenten

Berichtdoor Lixen » 21 jun 2011, 11:30

-bipolaire npn bandenschema combineren met de ebers-moll vergelijkingen om uit te leggen hoe het werkt: de E-M vergelijkingen goed begrijpen, welk deel hoe verklaard word, waarom kan alfa_f niet 1 zijn (iets met de recombinatie in de basis)
-Ek-diagram van SI en GaAs (hij gaf het papier uit de cursus met de Ek diagrammen op, en die uitlegen) indirecte bandgap, directe bandgap, zware, lichte elektronen, de secundaire valei bij GaAs: gun effect.
Jarne V
heeft den knop voor het posten van berichten gevonden!
heeft den knop voor het posten van berichten gevonden!
Berichten: 12
Lid geworden op: 08 nov 2012, 21:07

Re: E - Elektronische Componenten

Berichtdoor Jarne V » 02 jun 2015, 21:41

- Stel de IV karakteristiek op van de gewone diode + bespreken van de karakteristiek. Bijvraag: Wat is het probleem bij wisselspanningen bij inverse spanning (karakteristiek geeft één enkele saturatiestroom aan maar depletiegebied gaat kleiner/groter worden waardoor je een veranderende capaciteit krijgt (geleider - isolator (depletiegebied) - geleider)
- Bespreken van de verschillen tussen Si en GaAs aan de hand van de ek grafieken (gegeven) (direct/indirect, gunn effect bij GaAs, geen verschillende (heavy/light) holes bij GaAs)

Terug naar “3de Bachelor in Ingenieurswetenschappen”

Wie is er online

Gebruikers op dit forum: Geen geregistreerde gebruikers en 1 gast

cron