[OPGELOST] p.92 Stroom in diode

Gebruikersavatar
ideglier
Prof in de forumwetenschappen
Prof in de forumwetenschappen
Berichten: 5400
Lid geworden op: 11 okt 2008, 18:27
Locatie: Asse

[OPGELOST] p.92 Stroom in diode

Berichtdoor ideglier » 13 apr 2010, 14:05

Bij (b): V ~ Vbi, hoe lopen nu precies de stromen? Het lijkt op de figuur of de elektronen van Ec in het n-Si de barrière overwinnen en het Ec van het p-Si betreden en daar dan blijven. Maar dat klopt toch niet? Volgens Vounckx lopen de elektronen in het n-Si van Ec naar Ev in het p-Si. Maar waarom precies en waarom neemt de I dan exponentieel toe met V?

Waarom kan er geen tunneling optreden indien V steeds negatiever wordt? Uiteindelijk wordt de depletiedikte toch dunner?
I love the smell of petrol in the morning. Smells like ... SPEED!
Afbeelding
Gebruikersavatar
AdamCooman
The IRW God
The IRW God
Berichten: 2376
Lid geworden op: 28 nov 2007, 18:19
Locatie: Aalst
Contacteer:

Re: Hoofdstuk 4 pag 92

Berichtdoor AdamCooman » 02 jun 2010, 15:11

De elektronen overwinnen de potentiaalbarriëre door thermionische emissie en recombineren dan in het p-gebied. De holen die daardoor verdwijnen in het p-gebied worden aangevuld uit het contact van de diode en daardoor loopt er stroom.
In de andere richting is het hetzelfde, de holen gaan door thermionische emissie over de potentiaalbarriëre in het n-gebied geraken waar ze recombineren. Het tekort aan elektronen wordt aangevuld uit het contact.
De totale stroom is dus de som van de twee stromen, omdat ge moogt veronderstellen dat de beide onafhankelijk zijn van elkaar (de concentratie minderheidsladingsdragers is altijd verwaarloosbaar tov de meerderheidsladingsdragers)

Volgens Vounckx lopen de elektronen in het n-Si van Ec naar Ev in het p-Si. Maar waarom precies en waarom neemt de I dan exponentieel toe met V?

Welke figuur ziet ge dat? ze lopen toch van de Ec in het n-Si naar de Ec in het p-Si, en de hoeveelheid wordt bepaald door de hoeveelheid die over het hoebeltje geraakt door thermionische emissie. En die hoeveelheid wordt gegeven door de betrekking op pagina 83 in het vierkantje te verkrachten en te gebruiken voor silicium

Waarom zou de depletiedikte dunner worden bij nog hogere inverse spanningen?
AdamCooman The IRW God
Als een link niet meer werkt, bezoek mijn site om het bestand te vinden
Afbeelding

Mooiste avatar: AdamCooman
Beste moderator: AdamCooman
Gebruikersavatar
ideglier
Prof in de forumwetenschappen
Prof in de forumwetenschappen
Berichten: 5400
Lid geworden op: 11 okt 2008, 18:27
Locatie: Asse

Re: Hoofdstuk 4 pag 92

Berichtdoor ideglier » 02 jun 2010, 15:52

heel erg bedankt Adam, ik meende dat Vounckx in de les de elektronenstroom zo getekend had van n-Si EC naar p-Si Ev. Maar uw uitleg is veel logischer. En je hebt gelijk: bij inverse spanningen wordt het depletiegebied juist groter (ik heb me toen laten misleiden door andere, minder deftige tekeningen... :P )
I love the smell of petrol in the morning. Smells like ... SPEED!
Afbeelding

Terug naar “Elektronische componenten 1”

Wie is er online

Gebruikers op dit forum: Geen geregistreerde gebruikers en 1 gast

cron